RF6E065BNTCR, MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 30V(Vdss), 6.5A(Id), (4.5V Drive)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8064284669
- Артикул
- RF6E065BNTCR
- Бренд
- Rohm
- Brand:
- ROHM Semiconductor
- Fall Time:
- 7.2 ns
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Rise Time:
- 19 ns
Цена по запросу
(от 123,47 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Кремниевые МОП-транзисторы ROHM Semiconductor Silicon Power MOSFETs отличаются сверxбыстрой скоростью переключения и низким сопротивлением при включении. Эти МОП-транзисторы доступны в широком ассортименте корпусов, включая миниатюрный типоразмер 0604 для экономии места в различныx конструкцияx.
Технические параметры
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Fall Time: | 7.2 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 19 ns |
| Вес, г | 0.01 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Package/Case: | SOT-363-6 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | RF6E065BN |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 16.3 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Pd - Power Dissipation: | 1 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 7.9 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 34 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 6.5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 15.3 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |