RF4E110BNTR, 30V 11A 11.1mOhm@11A,10V 2W 2V@250uA 1 N-Channel UDFN-8-Power MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8041249423
- Артикул
- RF4E110BNTR
- Бренд
- Rohm
- Вес, г
- 1
- Серия
- RF4E110BN
- Структура
- 1 N-Channel
- Технология
- Si
Цена по запросу
(от 64 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 4.5V Drive Nch МОП-транзистор
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Серия | RF4E110BN |
| Структура | 1 N-Channel |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 11 ns |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | DFN-2020-8 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 24 nC |
| Время нарастания | 12 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 2 W |
| Другие названия товара № | RF4E110BN |
| Id - непрерывный ток утечки | 11 A |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 11.1 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 43 ns |
| Типичное время задержки при включении | 14 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 11 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 6 S |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 11.1мОм |