Моя заявка (0)
RF4E080GNTR, MOSFETs 4.5V Drive Nch MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8006227744
Артикул
RF4E080GNTR
Бренд
Rohm
Вес, г
1
Серия
RF4E080GN
Структура
N-Channel
Технология
Si
Цена по запросу
(от 54,64 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор 4.5V Drive Nch МОП-транзистор

Технические параметры

Вес, г1
СерияRF4E080GN
СтруктураN-Channel
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада2.4 ns
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаROHM Semiconductor
Упаковка / блокDFN2020-8
Тип транзистора1 N-Channel
Qg - заряд затвора5.8 nC
Время нарастания3.6 ns
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности2 W
Другие названия товара №RF4E080GN
Id - непрерывный ток утечки8 A
Размер фабричной упаковки3000
Vgs - напряжение затвор-исток20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток17.6 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения17.3 ns
Типичное время задержки при включении6.9 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2.5 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В4.5
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.5 S
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация