Моя заявка (0)
RE1L002SNTL, Транзистор: N-MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8015752561
Артикул
RE1L002SNTL
Бренд
Rohm
RoHS
Details
Brand
ROHM Semiconductor
Fall Time
28 ns
Packaging
Reel
Цена по запросу
(от 6,90 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

MOSFET, N-канальный, 60 В, 0,25 А, 0,15 Вт; Полярность транзистора: N-канальный; Постоянный ток стока Id: 250 мА; Напряжение источника стока Vds: 60 В; Сопротивление включения Rds(on): 1,7 Ом; Тестовое напряжение Rds(on) Vgs: 10 В; Пороговое напряжение Vgs: 2,3 В; Военнопленный

Технические параметры

RoHSDetails
BrandROHM Semiconductor
Fall Time28 ns
PackagingReel
Rise Time5 ns
TechnologySi
Вес, г0.1
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN Channel
ManufacturerROHM Semiconductor
Configuration1 N-Channel
Mounting StyleSMD/SMT
Package / CaseSOT-416FL-3
Transistor Type1 N-Channel
Product CategoryMOSFET
Power Dissipation150мВт
Number of Channels1 Channel
Transistor PolarityN-Channel
Factory Pack Quantity3000
Pd - Power Dissipation150 mW
Vgs - Gate-Source Voltage20 V
Typical Turn-On Delay Time3.5 ns
Typical Turn-Off Delay Time18 ns
Id - Continuous Drain Current250 mA
Maximum Operating Temperature+150 C
Minimum Operating Temperature-55 C
Forward Transconductance - Min250 mS
Drain Source On State Resistance1.7Ом
Rds On - Drain-Source Resistance1.7 Ohms
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage60 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage1 V
Непрерывный Ток Стока250мА
Рассеиваемая Мощность150мВт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs2.3В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds60В
Стиль Корпуса ТранзистораSOT-416FL
Максимальная Рабочая Температура150°C
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)1.7Ом

Техническая документация