Моя заявка (0)

RE1C001ZPTL, Power MOSFET, P Channel, 20 V, 100 mA, 2.5 ohm, SC-89, Surface Mount

RE1C001ZPTL, Power MOSFET, P Channel, 20 V, 100 mA, 2.5 ohm, SC-89, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8192787312
Артикул
RE1C001ZPTL
Бренд
Rohm
Type
1PCSPChannel
Width
0.9mm
Series
RE1C001ZP
Pin Count
3
Цена по запросу
(от 26 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор 1.2V Drive Pch МОП-транзистор

Технические параметры

Type1PCSPChannel
Width0.9mm
SeriesRE1C001ZP
Pin Count3
Вес, г0.072
Channel ModeEnhancement
Channel TypeP
Package TypeSC-75
КорпусSC-89
Mounting TypeSurface Mount
СтруктураP-Channel
ТехнологияSi
Forward Diode Voltage1.2V
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада137 ns
Power Dissipation (Pd)150mW
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Maximum Power Dissipation150 mW
Maximum Gate Source Voltage-10 V, +10 V
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаROHM Semiconductor
Упаковка / блокSOT-416-3
Input Capacitance (Ciss@Vds)15pF@10V
Maximum Drain Source Voltage20 V
Continuous Drain Current (Id)100mA
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 P-Channel MOSFET
Maximum Gate Threshold Voltage1V
Minimum Gate Threshold Voltage0.3V
Maximum Drain Source Resistance40 Ω
Время нарастания62 ns
Maximum Continuous Drain Current100 mA
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)1.5pF@10V
Полярность транзистораP-Channel
Pd - рассеивание мощности150 mW
Другие названия товара №RE1C001ZP
Id - непрерывный ток утечки100 mA
Размер фабричной упаковки3000
Vgs - напряжение затвор-исток8 V, + 8 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток3.8 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток20 V
Пороговое напряжение на затворе1V@100uA
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения325 ns
Типичное время задержки при включении46 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток300 mV
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А0.1
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт0.15
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)2.5Ω@4.5V, 100mA

Техническая документация