RE1C001UNTCL, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015789623
- Артикул
- RE1C001UNTCL
- Бренд
- Rohm
- RoHS
- Details
- Type
- 1PCSNChannel
- Brand
- ROHM Semiconductor
- Fall Time
- 38 ns
Цена по запросу
(от 14 ₽)
Минимальный заказ: 20 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
MOSFET, N-канальный, 20 В, 0,1 А, SOT-416FL; Полярность транзистора: N-канальный; Постоянный ток стока Id: 100 мА; Напряжение источника стока Vds: 20 В; Сопротивление включения Rds(on): 2,5 Ом; Тестовое напряжение Rds(on) Vgs:4,5 В; Пороговое напряжение Vgs:1В; Р
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Type | 1PCSNChannel |
| Brand | ROHM Semiconductor |
| Fall Time | 38 ns |
| Packaging | Reel |
| Rise Time | 4 ns |
| Technology | Si |
| Вес, г | 0.1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N Channel |
| Manufacturer | ROHM Semiconductor |
| Configuration | 1 N-Channel |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-416FL-3 |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Power Dissipation | 150мВт |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Структура | MOSFET |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Pd - Power Dissipation | 150 mW |
| Power Dissipation (Pd) | 150mW |
| Особенности | - |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 8 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 5 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time | 20 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 7.1pF@10V |
| Continuous Drain Current (Id) | 100mA |
| Id - Continuous Drain Current | 100 mA |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Forward Transconductance - Min | 180 mS |
| Drain Source On State Resistance | 2.5Ом |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 2.5 Ohms |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 300 mV |
| Непрерывный Ток Стока | 100мА |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 4.5В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 20В |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-416FL |
| Пороговое напряжение на затворе | 1V@100uA |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.15 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 3.5Ω@4.5V, 100mA |