Моя заявка (0)

RD3U041AAFRATL, MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 250V(Vdss), 4.1A(Id), (10V Drive)

RD3U041AAFRATL, MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 250V(Vdss), 4.1A(Id), (10V Drive)

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062504468
Артикул
RD3U041AAFRATL
Бренд
Rohm
Brand:
ROHM Semiconductor
Fall Time:
15 ns
Packaging:
Reel, Cut Tape
Rise Time:
14 ns
Цена по запросу
(от 217,07 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

RD3U041AAFRA N-Ch 250V 4A силовой МОП-транзистор ROHM Semiconductor RD3U041AAFRA N-Ch 250V 4A силовой МОП-транзистор ROHM Semiconductor отличается низким сопротивлением при включении и быстрым переключением. Благодаря простым сxемам привода и напряжению сток-исток 250 В RD3U041AAFRA подxодит для коммутационныx систем. Силовой МОП-транзистор ROHM RD3U041AAFRA N-Ch 250V 4A - это автомобильный МОП-транзистор, который соответствует стандарту AEC-Q101.

Технические параметры

Brand:ROHM Semiconductor
Fall Time:15 ns
Packaging:Reel, Cut Tape
Rise Time:14 ns
Вес, г0.33
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:ROHM Semiconductor
Product Type:MOSFETs
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:DPAK-3(TO-252-3)
Part # Aliases:RD3U041AAFRA
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:8.5 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:2500
Pd - Power Dissipation:29 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-30 V, +30 V
Typical Turn-On Delay Time:15 ns
Typical Turn-Off Delay Time:18 ns
Id - Continuous Drain Current:4 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:1.3 Ohms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:250 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:5.5 V