Моя заявка (0)
RD3U041AAFRATL, MOSFETs TO252 250V 4.1A N-CH MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8005629360
Артикул
RD3U041AAFRATL
Бренд
Rohm
Brand:
ROHM Semiconductor
Fall Time:
15 ns
Packaging:
Reel, Cut Tape
Rise Time:
14 ns
Цена по запросу
(от 182,53 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

RD3U041AAFRA N-Ch 250V 4A силовой МОП-транзистор ROHM Semiconductor RD3U041AAFRA N-Ch 250V 4A силовой МОП-транзистор ROHM Semiconductor отличается низким сопротивлением при включении и быстрым переключением. Благодаря простым сxемам привода и напряжению сток-исток 250 В RD3U041AAFRA подxодит для коммутационныx систем. Силовой МОП-транзистор ROHM RD3U041AAFRA N-Ch 250V 4A - это автомобильный МОП-транзистор, который соответствует стандарту AEC-Q101.

Технические параметры

Brand:ROHM Semiconductor
Fall Time:15 ns
Packaging:Reel, Cut Tape
Rise Time:14 ns
Вес, г0.33
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:ROHM Semiconductor
Product Type:MOSFETs
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:DPAK-3(TO-252-3)
Part # Aliases:RD3U041AAFRA
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:8.5 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:2500
Особенности-
Pd - Power Dissipation:29 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-30 V, +30 V
Typical Turn-On Delay Time:15 ns
Typical Turn-Off Delay Time:18 ns
Id - Continuous Drain Current:4 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:1.3 Ohms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:250 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:5.5 V
Пороговое напряжение на затворе3V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В250
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А41
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В