RD3S100AAFRATL, MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 190V(Vdss), 10.0A(Id), (10V Drive)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062504473
- Артикул
- RD3S100AAFRATL
- Бренд
- Rohm
- Brand:
- ROHM Semiconductor
- Fall Time:
- 75 ns
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Rise Time:
- 20 ns
Цена по запросу
(от 371,70 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовой МОП-транзистор RD3S100AAFRA N-Ch 190 В 10 А ROHM Semiconductor RD3S100AAFRA N-Ch 190 В 10 А обладает низким сопротивлением при включении и высокой скоростью переключения. МОП-транзистор RD3S100AAFRA легко настраивается для параллельного использования. Силовой МОП-транзистор ROHM RD3S100AAFRA предназначен для использования в импульсныx источникаx питания.
Технические параметры
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Fall Time: | 75 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 20 ns |
| Вес, г | 0.33 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Package/Case: | DPAK-3(TO-252-3) |
| Product Type: | MOSFETs |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | RD3S100AAFRA |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 52 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Pd - Power Dissipation: | 85 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 15 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 140 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 10 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 6 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 182 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 190 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |