Моя заявка (0)

RD3P200SNFRATL, 100V 20A 33m-@10V,20A 20W 2.5V@1mA 120pF@25V N Channel 2.1nF@25V 55nC@10V +150-@(Tj) TO-252-3 MOSFETs

RD3P200SNFRATL, 100V 20A 33m-@10V,20A 20W 2.5V@1mA 120pF@25V N Channel 2.1nF@25V 55nC@10V +150-@(Tj) TO-252-3 MOSFETs

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8015808230
Артикул
RD3P200SNFRATL
Бренд
Rohm
Type
1PCSNChannel
Вес, г
0.47
Channel Type
N Channel
Корпус
TO-252
Цена по запросу
(от 187,80 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Type1PCSNChannel
Вес, г0.47
Channel TypeN Channel
КорпусTO-252
Power Dissipation20Вт
СтруктураN-Channel
Power Dissipation (Pd)20W
Особенности-
КвалификацияAEC-Q101
Total Gate Charge (Qg@Vgs)55nC@10V
Input Capacitance (Ciss@Vds)2.1nF@25V
Continuous Drain Current (Id)20A
Drain Source On State Resistance0.033Ом
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)120pF@25V
Непрерывный Ток Стока20А
Рассеиваемая Мощность20Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs2.5В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds100В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-252(DPAK)
Пороговое напряжение на затворе2.5V@1mA
Максимальная Рабочая Температура150°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Стандарты Автомобильной ПромышленностиAEC-Q101
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.033Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А20
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт20
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)33mΩ@10V, 20A

Техническая документация