Моя заявка (0)

RD3P175SNFRATL, Power MOSFET, N Channel, 100 V, 17.5 A, 0.075 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount

RD3P175SNFRATL, Power MOSFET, N Channel, 100 V, 17.5 A, 0.075 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004137513
Артикул
RD3P175SNFRATL
Бренд
Rohm
Вес, г
0.45
Channel Type
N Channel
Корпус
TO-252
Power Dissipation
20Вт
Цена по запросу
(от 278 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор Nch 100V Vdss 17.5A TO-252(DPAK);TO-252

Технические параметры

Вес, г0.45
Channel TypeN Channel
КорпусTO-252
Power Dissipation20Вт
СтруктураN-Channel
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада50 ns
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаROHM Semiconductor
Упаковка / блокTO-252-3
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Qg - заряд затвора24 nC
Время нарастания25 ns
Drain Source On State Resistance0.075Ом
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество Выводов3вывод(-ов)
Количество каналов1 Channel
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока17.5А
Полярность транзистораN-Channel
Пороговое Напряжение Vgs2.5В
Pd - рассеивание мощности20 W
Id - непрерывный ток утечки17.5 A
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds100В
Размер фабричной упаковки2500
Стиль Корпуса ТранзистораTO-252(DPAK)
Vgs - напряжение затвор-исток20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток105 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток100 V
Пороговое напряжение на затворе-
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная Рабочая Температура150°C
Типичное время задержки выключения60 ns
Типичное время задержки при включении10 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А17.5
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.5 S
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт20
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.075 Ом

Техническая документация