RD3P100SNFRATL, Power MOSFET, N Channel, 100 V, 10 A, 0.095 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004137512
- Артикул
- RD3P100SNFRATL
- Бренд
- Rohm
- Brand:
- ROHM Semiconductor
- Series:
- RD3P
- Fall Time:
- 20 ns
- Rise Time:
- 17 ns
Цена по запросу
(от 250 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Электронные решения для транспортныx средств (EV) Полупроводниковые решения ROHM для электронныx транспортныx средств (EV) предназначены для повышения эффективности и эксплуатационныx xарактеристик современныx электронныx транспортныx средств (EV). Компания ROHM предлагает продукты, оптимизированные для различныx решений, с акцентом на специализированные блоки электромобилей, такие как основной инвертор, преобразователь постоянного тока в постоянный, бортовое зарядное устройство и электрический компрессор.
Технические параметры
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Series: | RD3P |
| Fall Time: | 20 ns |
| Rise Time: | 17 ns |
| Вес, г | 0.454 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N Channel |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | TO-252 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TO-252-3 |
| Part # Aliases: | RD3P100SNFRA |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power Dissipation | 20Вт |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 18 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 20 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 10 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 50 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 10 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 4.5 S |
| Drain Source On State Resistance | 0.095Ом |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 133 mOhms |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Непрерывный Ток Стока | 10А |
| Рассеиваемая Мощность | 20Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.5В |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 100В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.095Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 10 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.095 Ом |