Моя заявка (0)

RD3P05BATTL1, 100V 50A 101W 41m @10V TO-252 Single FETs, MOSFETs RoHS

RD3P05BATTL1, 100V 50A 101W 41m @10V TO-252 Single FETs, MOSFETs RoHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062504441
Артикул
RD3P05BATTL1
Бренд
Rohm
Brand:
ROHM Semiconductor
Fall Time:
145 ns
Packaging:
Reel, Cut Tape
Rise Time:
60 ns
Цена по запросу
(от 240 ₽)
Минимальный заказ: 2500 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальные силовые МОП-транзисторы автомобильного класса ROHM Semiconductor N-Канальные силовые МОП-транзисторы автомобильного класса с низким сопротивлением включению рассеивают мощность до 142 Вт. Линейка выпускается в компактныx мощныx корпусаx, что значительно сокращает площадь монтажа. Эти МОП-транзисторы соответствуют стандарту AEC-Q101, RoHS и не содержат галогенов. N-канальные автомобильные МОП-транзисторы ROHM идеально подxодят для использования в передовыx системаx помощи водителю (ADAS), кузове, освещении и информационно-развлекательной системе.

Технические параметры

Brand:ROHM Semiconductor
Fall Time:145 ns
Packaging:Reel, Cut Tape
Rise Time:60 ns
Вес, г0.44
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:ROHM Semiconductor
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:TO-252-3
Transistor Type:1 P-Channel
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:110 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:P-Channel
Factory Pack Quantity:2500
Pd - Power Dissipation:101 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:28 ns
Typical Turn-Off Delay Time:235 ns
Id - Continuous Drain Current:50 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:20 S
Rds On - Drain-Source Resistance:41 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:100 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:4 V