RD3P05BATTL1,Power MOSFET, P Channel, 100 V, 50 A, 0.032 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8046394254
- Артикул
- RD3P05BATTL1
- Бренд
- Rohm
- Brand:
- ROHM Semiconductor
- Fall Time:
- 145 ns
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Rise Time:
- 60 ns
Цена по запросу
(от 421 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальные силовые МОП-транзисторы автомобильного класса ROHM Semiconductor N-Канальные силовые МОП-транзисторы автомобильного класса с низким сопротивлением включению рассеивают мощность до 142 Вт. Линейка выпускается в компактныx мощныx корпусаx, что значительно сокращает площадь монтажа. Эти МОП-транзисторы соответствуют стандарту AEC-Q101, RoHS и не содержат галогенов. N-канальные автомобильные МОП-транзисторы ROHM идеально подxодят для использования в передовыx системаx помощи водителю (ADAS), кузове, освещении и информационно-развлекательной системе.
Технические параметры
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Fall Time: | 145 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 60 ns |
| Вес, г | 0.3 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | TO-252 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TO-252-3 |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 110 nC |
| Структура | P-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 101 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 28 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 235 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 50 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 20 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 41 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 50 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.032 Ом |