Моя заявка (0)

RD3P050SNFRATL, Power MOSFET, N Channel, 100 V, 5 A, 0.135 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount

RD3P050SNFRATL, Power MOSFET, N Channel, 100 V, 5 A, 0.135 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004137511
Артикул
RD3P050SNFRATL
Бренд
Rohm
Вес, г
0.454
Channel Type
N Channel
Корпус
TO-252
Power Dissipation
15Вт
Цена по запросу
(от 224 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор Nch 100V Vdss 5A ID TO-252(DPAK);TO-252

Технические параметры

Вес, г0.454
Channel TypeN Channel
КорпусTO-252
Power Dissipation15Вт
СтруктураN-Channel
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада15 ns
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаROHM Semiconductor
Упаковка / блокTO-252-3
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Qg - заряд затвора14 nC
Время нарастания15 ns
Drain Source On State Resistance0.135Ом
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество Выводов3вывод(-ов)
Количество каналов1 Channel
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока5А
Рассеиваемая Мощность15Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs2.5В
Pd - рассеивание мощности15 W
Id - непрерывный ток утечки5 A
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds100В
Размер фабричной упаковки2500
Стиль Корпуса ТранзистораTO-252(DPAK)
Vgs - напряжение затвор-исток20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток190 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток100 V
Пороговое напряжение на затворе-
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная Рабочая Температура150°C
Типичное время задержки выключения45 ns
Типичное время задержки при включении10 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.135Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А5
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.2.5 S
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.135 Ом

Техническая документация