Моя заявка (0)

RD3N06BATTL1,Power MOSFET, P Channel, 80 V, 60 A, 0.026 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount

RD3N06BATTL1,Power MOSFET, P Channel, 80 V, 60 A, 0.026 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8059563159
Артикул
RD3N06BATTL1
Бренд
Rohm
Вес, г
0.01
No. of Pins
3Pins
Channel Type
P Channel
Корпус
TO-252
Цена по запросу
(от 550 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г0.01
No. of Pins3Pins
Channel TypeP Channel
КорпусTO-252
СтруктураP-Channel
Transistor MountingSurface Mount
Transistor Case StyleTO-252(DPAK)
Особенности-
Drain Source Voltage Vds80V
Operating Temperature Max150°C
Continuous Drain Current Id60A
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Пороговое напряжение на затворе-
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В80
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А60
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт101W
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.026 Ом

Техническая документация