RD3L220SNTL1, TO-252 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8026309044
- Артикул
- RD3L220SNTL1
- Бренд
- Rohm
- Brand:
- ROHM Semiconductor
- Series:
- RD3L
- Fall Time:
- 65 ns
- Rise Time:
- 45 ns
Цена по запросу
(от 110,84 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Кремниевые силовые МОП-транзисторы Полупроводниковые кремниевые силовые МОП-транзисторы ROHM отличаются сверxбыстрой скоростью переключения и низким сопротивлением при включении. Эти МОП-транзисторы доступны в широком ассортименте корпусов, включая миниатюрный размер 0604 для экономии места в различныx конструкцияx.
Технические параметры
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Series: | RD3L |
| Fall Time: | 65 ns |
| Rise Time: | 45 ns |
| Вес, г | 0.46 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N Channel |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | TO-252 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | DPAK-3 |
| Part # Aliases: | RD3L220SN |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power Dissipation | 20Вт |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 30 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 20W |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 20 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 30nC@10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 25 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.5nF@10V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 75 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 22A |
| Id - Continuous Drain Current: | 22 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Drain Source On State Resistance | 0.018Ом |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 18 mOhms |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Непрерывный Ток Стока | 22А |
| Рассеиваемая Мощность | 20Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 60В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
| Пороговое напряжение на затворе | 3V@1mA |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.018Ом |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 20 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 26mΩ@22A, 10V |