Моя заявка (0)

RD3L07BAT Type P-Channel MOSFET, 70 A, 60 V P, 3-Pin TO-252 RD3L07BATTL1

RD3L07BAT Type P-Channel MOSFET, 70 A, 60 V P, 3-Pin TO-252 RD3L07BATTL1

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8043409805
Артикул
RD3L07BATTL1
Бренд
Rohm
Brand:
ROHM Semiconductor
Pin Count
3
Fall Time:
225 ns
Packaging:
Reel, Cut Tape
Цена по запросу
(от 900 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Силовой МОП-транзистор ROHM имеет тип корпуса TO-252. В основном он используется для коммутации.

Технические параметры

Brand:ROHM Semiconductor
Pin Count3
Fall Time:225 ns
Packaging:Reel, Cut Tape
Rise Time:93 ns
Вес, г1
Technology:Si
Channel TypeP
Package TypeDPAK(TO-252)
Subcategory:Transistors
КорпусTO-252
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:ROHM Semiconductor
Mounting TypeSurface Mount
Package/Case:DPAK-3(TO-252-3)
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:RD3L07BAT
Transistor Type:1 P-Channel
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:105 nC
СтруктураP-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:P-Channel
Factory Pack Quantity:2500
Особенности-
Pd - Power Dissipation:101 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-10 V, +10 V
Number of Elements per Chip1
Typical Turn-On Delay Time:24 ns
Maximum Drain Source Voltage60 V
Typical Turn-Off Delay Time:290 ns
Id - Continuous Drain Current:70 A
Maximum Gate Threshold Voltage2.5V
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Maximum Drain Source Resistance0.127 Ω
Maximum Continuous Drain Current70 A
Rds On - Drain-Source Resistance:12.7 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:60 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А70
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация