RD3H160SPTL1,Power MOSFET, P Channel, 45 V, 16 A, 0.035 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001715868
- Артикул
- RD3H160SPTL1
- Бренд
- Rohm
- Brand:
- ROHM Semiconductor
- Pin Count
- 3
- Fall Time:
- 50 ns
- Rise Time:
- 22 ns
Цена по запросу
(от 265 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Кремниевые МОП-транзисторы ROHM Semiconductor Silicon Power MOSFETs отличаются сверxбыстрой скоростью переключения и низким сопротивлением при включении. Эти МОП-транзисторы доступны в широком ассортименте корпусов, включая миниатюрный типоразмер 0604 для экономии места в различныx конструкцияx.
Технические параметры
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Pin Count | 3 |
| Fall Time: | 50 ns |
| Rise Time: | 22 ns |
| Вес, г | 0.006 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | TO-252 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | TO-252 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | DPAK-3(TO-252-3) |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | RD3H160SP |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 16 nC |
| Структура | P-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Power Dissipation (Pd) | 20W |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 20 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 16nC@5V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 13 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 2nF@10V |
| Maximum Drain Source Voltage | 45 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 90 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 16A |
| Id - Continuous Drain Current: | 16 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Continuous Drain Current | 16 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 35 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 45 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 3V@1mA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 45 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 16 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 20 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 50mΩ@16A, 10V |