Моя заявка (0)
RD3H045SPTL1, Транзистор: P-MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070114859
Артикул
RD3H045SPTL1
Бренд
Rohm
Pin Count
3
Вес, г
1
Серия
RD3H
Channel Mode
Enhancement
Цена по запросу
(от 119,58 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор Pch -45V -4.5A TO-252 (DPAK)

Технические параметры

Pin Count3
Вес, г1
СерияRD3H
Channel ModeEnhancement
Channel TypeP Channel
Package TypeTO-252
Mounting TypeSurface Mount
Power Dissipation15Вт
Transistor MaterialSi
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада8 ns
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаROHM Semiconductor
Упаковка / блокTO-252-3
Maximum Drain Source Voltage45 V
Канальный режимEnhancement
Qg - заряд затвора12 nC
Время нарастания8 ns
Drain Source On State Resistance0.11Ом
Maximum Continuous Drain Current4.5 A
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество Выводов3вывод(-ов)
Количество каналов1 Channel
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока4.5А
Рассеиваемая Мощность15Вт
Полярность транзистораP-Channel
Пороговое Напряжение Vgs3В
Pd - рассеивание мощности15 W
Id - непрерывный ток утечки4.5 A
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds45В
Размер фабричной упаковки2500
Стиль Корпуса ТранзистораTO-252(DPAK)
Vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток155 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток45 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения35 ns
Типичное время задержки при включении8 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток3 V
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.11Ом
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.3 S

Техническая документация