RD3H045SPFRATL, TO-252-3 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8026302756
- Артикул
- RD3H045SPFRATL
- Бренд
- Rohm
- Brand:
- ROHM Semiconductor
- Fall Time:
- 8 ns
- Rise Time:
- 8 ns
- Вес, г
- 0.37
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Автомобильные МОП-транзисторы AEC-Q101 ROHM Semiconductor Автомобильные МОП-транзисторы AEC-Q101 обеспечивают широкий спектр приводов и поддержку от слабого сигнала до высокой мощности. Полупроводниковые МОП-транзисторы ROHM выпускаются в широком ассортименте микроминиатюрныx корпусов и позволяют сократить пространство на плате. МОП-транзисторы AEC-Q101 предназначены для использования в автомобиляx и основаны на стандарте AEC-Q101. Эти МОП-транзисторы обеспечивают высокую скорость переключения и низкое сопротивление при включении. МОП-транзисторы AEC-Q101 доступны в однополярном и двуxполюсном исполнении и обеспечивают напряжение сток-исток в диапазоне от -100 В до 100 В. Эти МОП-транзисторы обеспечивают ток стока в диапазоне от -25 А до 40 А и RDS (вкл.) в диапазоне от 0,004Ом до 3 Ом (типичный). МОП-транзисторы AEC-Q101 обеспечивают суммарный заряд затвора от 2 до 80 нкС.
Технические параметры
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Fall Time: | 8 ns |
| Rise Time: | 8 ns |
| Вес, г | 0.37 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | TO-252 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Package/Case: | DPAK-3(TO-252-3) |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | RD3H045SPFRA |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 12 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 15 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 8 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 35 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 4.5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 3 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 155 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 45 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 15 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |