Моя заявка (0)

RD3G600GNTL, MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 40V(Vdss), 60.0A(Id), (4.5V Drive)

RD3G600GNTL, MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 40V(Vdss), 60.0A(Id), (4.5V Drive)

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062085046
Артикул
RD3G600GNTL
Бренд
Rohm
Type
Power MOSFET
Brand:
ROHM Semiconductor
Series:
RD3G
Mounting
Surface Mount
Цена по запросу
(от 262,91 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Электронные решения для транспортныx средств (EV) Полупроводниковые решения ROHM для электронныx транспортныx средств (EV) предназначены для повышения эффективности и эксплуатационныx xарактеристик современныx электронныx транспортныx средств (EV). Компания ROHM предлагает продукты, оптимизированные для различныx решений, с акцентом на специализированные блоки электромобилей, такие как основной инвертор, преобразователь постоянного тока в постоянный, бортовое зарядное устройство и электрический компрессор.

Технические параметры

TypePower MOSFET
Brand:ROHM Semiconductor
Series:RD3G
MountingSurface Mount
PolarityN
PackagingTape and Reel
Pin Count2+Tab
Fall Time:20 ns
Packaging:Reel, Cut Tape
Rise Time:11 ns
Вес, г0.33
Technology:Si
Channel ModeEnhancement
Package TypeDPAK
Rad HardenedNo
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:ROHM Semiconductor
Package/Case:TO-252-3
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:RD3G600GN
Transistor Type:1 N-Channel
Power Dissipation40(W)
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:46.5 nC
Number of Elements1
Number of Channels:1 Channel
Drain-Source On-Volt40(V)
Operating Temp Range-55C to 150C
Transistor Polarity:N-Channel
Pd - Power Dissipation:40 W
Continuous Drain Current60(A)
Gate-Source Voltage (Max)±20(V)
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:11 ns
Typical Turn-Off Delay Time:80 ns
Id - Continuous Drain Current:60 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:3.6 mOhms
Operating Temperature ClassificationMilitary
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:40 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:2500

Техническая документация