RD3G500GN N-Channel MOSFET, 50 A, 40 V, 3-Pin DPAK RD3G500GNTL
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025348066
- Артикул
- RD3G500GNTL
- Бренд
- Rohm
- Width
- 6.4mm
- Series
- RD3G500GN
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 160 ₽)
Минимальный заказ: 2500 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
RD3G500GN - это МОП-транзистор с низким сопротивлением для коммутации.
Технические параметры
| Width | 6.4mm |
| Series | RD3G500GN |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 35 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 31 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Maximum Drain Source Resistance | 6.3 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 50 A |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 50 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |