Моя заявка (0)

RD3G08CBLHRBTL,Power MOSFET, N Channel, 40 V, 80 A, 0.0032 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount

RD3G08CBLHRBTL,Power MOSFET, N Channel, 40 V, 80 A, 0.0032 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8046488828
Артикул
RD3G08CBLHRBTL
Бренд
Rohm
Brand
ROHM
Series
RD3G08CBLHRB
Pin Count
3
Mount Type
Surface
Цена по запросу
(от 340 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор ROHM, который отличается впечатляющей производительностью в различныx областяx применения. Разработанный для обеспечения высокой эффективности, этот компонент обеспечивает высокую мощность при минимальном выделении тепла, что делает его идеальным для применения в автомобилестроении и промышленности с высокими требованиями. Его компактная упаковка DPAK обеспечивает легкую интеграцию в компактные планировки, а конструкция, соответствующая требованиям RoHS и не содержащая свинца, гарантирует соответствие современным экологическим стандартам.

Технические параметры

BrandROHM
SeriesRD3G08CBLHRB
Pin Count3
Mount TypeSurface
Вес, г0.32
Package TypeTO-252
Product TypeMOSFET
КорпусTO-252
Forward Voltage Vf1.5V
СтруктураN-Channel
Automotive StandardAEC-Q101
Standards/ApprovalsRoHS, AEC-Q101
Особенности-
Maximum Power Dissipation Pd96W
Typical Gate Charge Qg @ Vgs42nC
Maximum Operating Temperature175°C
Minimum Operating Temperature-55°C
Maximum Gate Source Voltage Vgs20 V
Maximum Drain Source Voltage Vds40V
Maximum Continuous Drain Current Id80A
Maximum Drain Source Resistance Rds3.2mΩ
Пороговое напряжение на затворе-
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А80
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.0032 Ом

Техническая документация