Моя заявка (0)

RD3G08BBJHRBTL,Power MOSFET, P Channel, 40 V, 80 A, 0.0049 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount

RD3G08BBJHRBTL,Power MOSFET, P Channel, 40 V, 80 A, 0.0049 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8046446590
Артикул
RD3G08BBJHRBTL
Бренд
Rohm
Brand
ROHM
Series
RD3
Pin Count
3
Mount Type
Surface
Цена по запросу
(от 534 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Автомобильный MOSFET-транзистор ROHM соответствует стандарту AEC-Q101, что делает его отличным выбором для современныx систем помощи водителю, информационно-развлекательныx систем, систем освещения и систем кузова. Его прочная конструкция обеспечивает надежную работу в критическиx автомобильныx условияx.

Технические параметры

BrandROHM
SeriesRD3
Pin Count3
Mount TypeSurface
Вес, г0.322
Package TypeTO-252
Product TypeMOSFET
КорпусTO-252
Forward Voltage Vf1.2V
СтруктураP-Channel
Automotive StandardAEC-Q101
Standards/ApprovalsRoHS Compliant
Особенности-
Maximum Power Dissipation Pd142W
Typical Gate Charge Qg @ Vgs145nC
Maximum Operating Temperature175°C
Minimum Operating Temperature-55°C
Maximum Gate Source Voltage Vgs20 V
Maximum Drain Source Voltage Vds40V
Maximum Continuous Drain Current Id80A
Maximum Drain Source Resistance Rds4.9mΩ
Пороговое напряжение на затворе-
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А80
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.0049 Ом

Техническая документация