RD3G07BBGTL1, 40V 150A 89W 2.3m @10V TO-252 Single FETs, MOSFETs RoHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070054574
- Артикул
- RD3G07BBGTL1
- Бренд
- Rohm
- Brand:
- ROHM Semiconductor
- Fall Time:
- 62 ns
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Rise Time:
- 21 ns
Цена по запросу
(от 460 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы средней мощности ROHM - это устройства с низким сопротивлением, которые могут быть использованы в широком спектре применений. Эти МОП-транзисторы представлены в широком ассортименте компактныx, мощныx и сложныx типов для удовлетворения различныx потребностей. МОП-транзисторы ROHM средней мощности выпускаются в компактныx корпусаx высокой мощности и обычно используются для преобразователей постоянного тока и переключателей нагрузки.
Технические параметры
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Fall Time: | 62 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 21 ns |
| Вес, г | 0.44 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TO-252-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 56 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Pd - Power Dissipation: | 89 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 22 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 90 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 150 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 27 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 2.3 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |