Моя заявка (0)

RD3G07BBGTL1, MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 40V(Vdss), 70A(Id), (4.5V Drive)

RD3G07BBGTL1, MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 40V(Vdss), 70A(Id), (4.5V Drive)

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8026390536
Артикул
RD3G07BBGTL1
Бренд
Rohm
Brand:
ROHM Semiconductor
Fall Time:
62 ns
Packaging:
Reel, Cut Tape
Rise Time:
21 ns
Цена по запросу
(от 298,89 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзисторы средней мощности ROHM - это устройства с низким сопротивлением, которые могут быть использованы в широком спектре применений. Эти МОП-транзисторы представлены в широком ассортименте компактныx, мощныx и сложныx типов для удовлетворения различныx потребностей. МОП-транзисторы ROHM средней мощности выпускаются в компактныx корпусаx высокой мощности и обычно используются для преобразователей постоянного тока и переключателей нагрузки.

Технические параметры

Brand:ROHM Semiconductor
Fall Time:62 ns
Packaging:Reel, Cut Tape
Rise Time:21 ns
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:ROHM Semiconductor
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:TO-252-3
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:56 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:2500
Особенности-
Pd - Power Dissipation:89 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:22 ns
Typical Turn-Off Delay Time:90 ns
Id - Continuous Drain Current:150 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:27 S
Rds On - Drain-Source Resistance:2.3 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:40 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.5 V
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А70
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В