Моя заявка (0)

RD3G04BBJHRBTL,Power MOSFET, P Channel, 40 V, 40 A, 0.024 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount

RD3G04BBJHRBTL,Power MOSFET, P Channel, 40 V, 40 A, 0.024 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8050712936
Артикул
RD3G04BBJHRBTL
Бренд
Rohm
Вес, г
0.32
No. of Pins
3Pins
Channel Type
P Channel
Корпус
TO-252
Цена по запросу
(от 350 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г0.32
No. of Pins3Pins
Channel TypeP Channel
КорпусTO-252
QualificationAEC-Q101
СтруктураP-Channel
Transistor MountingSurface Mount
Transistor Case StyleTO-252(DPAK)
Особенности-
Drain Source Voltage Vds40V
Operating Temperature Max175°C
Continuous Drain Current Id40A
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Пороговое напряжение на затворе-
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А40
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт53W
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.024 Ом

Техническая документация