RD3G01BATTL1, Транзистор: P-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8069610794
- Артикул
- RD3G01BATTL1
- Бренд
- Rohm
- Вес, г
- 1
- Channel Type
- P Channel
- Power Dissipation
- 25Вт
- Drain Source On State Resistance
- 0.031Ом
Цена по запросу
(от 128,37 ₽)
Минимальный заказ: 100 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Channel Type | P Channel |
| Power Dissipation | 25Вт |
| Drain Source On State Resistance | 0.031Ом |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 15А |
| Рассеиваемая Мощность | 25Вт |
| Полярность Транзистора | P Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.5В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 40В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.031Ом |