RCJ200N20TL, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062261254
- Артикул
- RCJ200N20TL
- Бренд
- Rohm
- Вес, г
- 1.5
- Серия
- RCJ200N20
- Технология
- Si
- Вид монтажа
- SMD/SMT
Цена по запросу
(от 335,36 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 10V DRIVE N-Ch МОП-транзистор
Технические параметры
| Вес, г | 1.5 |
| Серия | RCJ200N20 |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | TO-263-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 40 nC |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 106 W |
| Другие названия товара № | RCJ200N20 |
| Id - непрерывный ток утечки | 20 A |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 130 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 200 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |