Моя заявка (0)

R8011KNXC7G, MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 800V 11A 3rd Gen, Fast Switch

R8011KNXC7G, MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 800V 11A 3rd Gen, Fast Switch

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8012193371
Артикул
R8011KNXC7G
Бренд
Rohm
Brand:
ROHM Semiconductor
Fall Time:
25 ns
Packaging:
Tube
Rise Time:
25 ns
Цена по запросу
(от 547,61 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

R8011KNX N-канальный МОП-транзистор мощностью 800 В 11 А ROHM Semiconductor R8011KNX N-канальный МОП-транзистор мощностью 800 В 11 А - это устройство с низким сопротивлением и быстрым переключением. R8011KNX имеет покрытие, не содержащее свинца, и соответствует требованиям RoHS. МОП-транзисторы предназначены для параллельного использования, что делает иx простыми в использовании.

Технические параметры

Brand:ROHM Semiconductor
Fall Time:25 ns
Packaging:Tube
Rise Time:25 ns
Вес, г2
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:ROHM Semiconductor
Package/Case:TO-220FM-3
Product Type:MOSFETs
Mounting Style:Through Hole
Part # Aliases:R8011KNX
Transistor Type:Power MOSFET
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:37 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:1000
Особенностивысоковольтный
Pd - Power Dissipation:65 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:25 ns
Typical Turn-Off Delay Time:70 ns
Id - Continuous Drain Current:11 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:450 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:800 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:4.5 V
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В800
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А11
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В