R8011KNXC7G, MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 800V 11A 3rd Gen, Fast Switch

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8012193371
- Артикул
- R8011KNXC7G
- Бренд
- Rohm
- Brand:
- ROHM Semiconductor
- Fall Time:
- 25 ns
- Packaging:
- Tube
- Rise Time:
- 25 ns
Цена по запросу
(от 547,61 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
R8011KNX N-канальный МОП-транзистор мощностью 800 В 11 А ROHM Semiconductor R8011KNX N-канальный МОП-транзистор мощностью 800 В 11 А - это устройство с низким сопротивлением и быстрым переключением. R8011KNX имеет покрытие, не содержащее свинца, и соответствует требованиям RoHS. МОП-транзисторы предназначены для параллельного использования, что делает иx простыми в использовании.
Технические параметры
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Fall Time: | 25 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 25 ns |
| Вес, г | 2 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Package/Case: | TO-220FM-3 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Part # Aliases: | R8011KNX |
| Transistor Type: | Power MOSFET |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 37 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 65 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 25 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 70 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 11 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 450 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 800 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4.5 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 800 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 11 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |