Моя заявка (0)

R8008ANJFRGTL, MOSFETs Nch 800V Vdss 8A ID TO-263(D2PAK); LPTS

R8008ANJFRGTL, MOSFETs Nch 800V Vdss 8A ID TO-263(D2PAK); LPTS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8005508849
Артикул
R8008ANJFRGTL
Бренд
Rohm
Вес, г
1
Channel Type
N Channel
Корпус
TO-263
Power Dissipation
195Вт
Цена по запросу
(от 581,05 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор Nch 800V Vdss 8A ID TO-263(D2PAK);LPTS

Технические параметры

Вес, г1
Channel TypeN Channel
КорпусTO-263
Power Dissipation195Вт
СтруктураN-Channel
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада30 ns
Особенностивысоковольтный
Тип продуктаMOSFET
КвалификацияAEC-Q101
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаROHM Semiconductor
Упаковка / блокTO-263-3
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Qg - заряд затвора38 nC
Время нарастания35 ns
Drain Source On State Resistance0.79Ом
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество Выводов3вывод(-ов)
Количество каналов1 Channel
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока8А
Рассеиваемая Мощность195Вт
Полярность транзистораN-Channel
Пороговое Напряжение Vgs5В
Pd - рассеивание мощности195 W
Id - непрерывный ток утечки8 A
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds800В
Размер фабричной упаковки1000
Стиль Корпуса ТранзистораTO-263S
Vgs - напряжение затвор-исток30 V, + 30 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток1.03 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток800 V
Пороговое напряжение на затворе2…4 В
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения90 ns
Типичное время задержки при включении30 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток3 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В800
Стандарты Автомобильной ПромышленностиAEC-Q101
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.79Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А8
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.2 S
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация