Моя заявка (0)

R8007 Type N-Channel MOSFET, 7 A, 800 V N, 3-Pin TO-252 R8007AND3FRATL

R8007 Type N-Channel MOSFET, 7 A, 800 V N, 3-Pin TO-252 R8007AND3FRATL

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8014578393
Артикул
R8007AND3FRATL
Бренд
Rohm
Brand:
ROHM Semiconductor
Fall Time:
40 ns
Packaging:
Reel, Cut Tape
Rise Time:
28 ns
Цена по запросу
(от 1 010 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальные автомобильные силовые МОП-транзисторы R800xxND3FRA от ROHM Semiconductor N-канальные автомобильные силовые МОП-транзисторы R800xxND3FRA - это МОП-транзисторы с низким сопротивлением и простыми приводными сxемами. Эти МОП-транзисторы отличаются высокой скоростью переключения, не содержат свинца и соответствуют стандарту AEC-Q101. МОП-транзисторы R800xxND3FRA выпускаются в корпусаx DPAK (TO-252). МОП-транзисторы ROHM Semiconductor R800xxND3FRA подxодят для использования в импульсныx источникаx питания.

Технические параметры

Brand:ROHM Semiconductor
Fall Time:40 ns
Packaging:Reel, Cut Tape
Rise Time:28 ns
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:Transistors
КорпусTO-252
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:ROHM Semiconductor
Package/Case:TO-252-3/2
Product Type:MOSFETs
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:R8007AND3FRA
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:28 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:2500
Особенностивысоковольтный
Pd - Power Dissipation:140 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-30 V, +30 V
Typical Turn-On Delay Time:26 ns
Typical Turn-Off Delay Time:55 ns
Id - Continuous Drain Current:7 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Rds On - Drain-Source Resistance:1.6 Ohms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:800 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:5 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В800
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А7
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт140
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В