Моя заявка (0)

R8003KNXC7G, Power MOSFET, N Channel, 800 V, 3 A, 1.5 ohm, TO-220FM, Through Hole

R8003KNXC7G, Power MOSFET, N Channel, 800 V, 3 A, 1.5 ohm, TO-220FM, Through Hole

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8009018710
Артикул
R8003KNXC7G
Бренд
Rohm
Pin Count
3
Вес, г
2
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N Channel
Цена по запросу
(от 580 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Серия ROHM R8xxxKNx - это устройства для высокоскоростной коммутации, МОП-транзисторы super Junction, которые делают упор на высокую эффективность.

Технические параметры

Pin Count3
Вес, г2
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN Channel
Package TypeTO-220FM
КорпусTO-220
Mounting TypeThrough Hole
Power Dissipation36Вт
СтруктураN-Channel
Особенностивысоковольтный
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage800 V
Maximum Gate Threshold Voltage4.5V
Maximum Drain Source Resistance1.8 Ω
Drain Source On State Resistance1.5Ом
Maximum Continuous Drain Current3 A
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораThrough Hole
Непрерывный Ток Стока3А
Пороговое Напряжение Vgs3.5В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds800В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-220FM
Пороговое напряжение на затворе4V@1mA
Максимальная Рабочая Температура150°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В800
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А3
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)1.5 Ом

Техническая документация