R8002CND3FRATL, Power MOSFET, N Channel, 800 V, 2 A, 3.3 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8003700562
- Артикул
- R8002CND3FRATL
- Бренд
- Rohm
- Вес, г
- 0.1
- Channel Type
- N Channel
- Корпус
- TO-252
- Power Dissipation
- 69Вт
Цена по запросу
(от 499 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 0.1 |
| Channel Type | N Channel |
| Корпус | TO-252 |
| Power Dissipation | 69Вт |
| Структура | N-Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 69W |
| Особенности | высоковольтный |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 12.1nC@10V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 240pF@25V |
| Continuous Drain Current (Id) | 2A |
| Drain Source On State Resistance | 3.3Ом |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 2А |
| Рассеиваемая Мощность | 69Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 5.5В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 800В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
| Пороговое напряжение на затворе | 5.5V@1mA |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 800 |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 3.3Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 69 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 4.3Ω@1A, 10V |