R8002ANJGTL, MOSFETs TO263 800V 2A N-CH MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8012195975
- Артикул
- R8002ANJGTL
- Бренд
- Rohm
- Brand:
- ROHM Semiconductor
- Fall Time:
- 70 ns
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Rise Time:
- 25 ns
Цена по запросу
(от 288,44 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы R8002ANJ и R8005ANJ и R8008ANJ ROHM Semiconductor R8002ANJ и R8005ANJ и R8008ANJ отличаются низким сопротивлением при включении и быстрым переключением. МОП-транзисторы подxодят для коммутации. Устройства отличаются низким сопротивлением при включении, высокой скоростью переключения и гарантированным напряжением затвор-исток (VGSS) на уровне ±30 В.
Технические параметры
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Fall Time: | 70 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 25 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Package/Case: | TO-263S-3 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | R8002ANJ |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 13 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 62 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 20 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 35 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 2 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 4.3 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 800 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 5 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 800 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |