Моя заявка (0)

R8002ANJFRGTL, Power MOSFET, N Channel, 800 V, 2 A, 3.3 ohm, TO-263S, Surface Mount

R8002ANJFRGTL, Power MOSFET, N Channel, 800 V, 2 A, 3.3 ohm, TO-263S, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8003700561
Артикул
R8002ANJFRGTL
Бренд
Rohm
Вес, г
0.1
Channel Type
N Channel
Корпус
TO-263
Power Dissipation
62Вт
Цена по запросу
(от 621 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор Nch 800V Vdss 2A ID TO-263(D2PAK);LPTS

Технические параметры

Вес, г0.1
Channel TypeN Channel
КорпусTO-263
Power Dissipation62Вт
СтруктураN-Channel
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада70 ns
Особенностивысоковольтный
Тип продуктаMOSFET
КвалификацияAEC-Q101
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаROHM Semiconductor
Упаковка / блокTO-263S-3
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Qg - заряд затвора13 nC
Время нарастания25 ns
Drain Source On State Resistance3.3Ом
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество Выводов3вывод(-ов)
Количество каналов1 Channel
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока2А
Рассеиваемая Мощность62Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs5В
Pd - рассеивание мощности62 W
Id - непрерывный ток утечки2 A
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds800В
Размер фабричной упаковки1000
Стиль Корпуса ТранзистораTO-263S
Vgs - напряжение затвор-исток30 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток4.3 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток800 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная Рабочая Температура150°C
Типичное время задержки выключения35 ns
Типичное время задержки при включении20 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток3 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В800
Стандарты Автомобильной ПромышленностиAEC-Q101
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)3.3Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А2
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.0.5 S
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)3.3 Ом

Техническая документация