R8001CND3FRATL, MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 800V 1A 1st Gen, for Auto w/ESD Protect
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006313293
- Артикул
- R8001CND3FRATL
- Бренд
- Rohm
- Вес, г
- 1
- Упаковка
- Reel, Cut Tape
- Структура
- N-Channel
- Технология
- Si
Цена по запросу
(от 265,45 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 800V N-CH 1A POWER
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Структура | N-Channel |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 137 ns |
| Особенности | высоковольтный |
| Тип продукта | MOSFET |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | TO-252-3/2 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 7.2 nC |
| Время нарастания | 21 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 36 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 1 A |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 8.7 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 800 V |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 33 ns |
| Типичное время задержки при включении | 20 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 5.5 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 800 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 1 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |