R6520ENZC17, MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 20A 3rd Gen, Low Noise
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8069773135
- Артикул
- R6520ENZC17
- Бренд
- Rohm
- Brand:
- ROHM Semiconductor
- Fall Time:
- 60 ns
- Packaging:
- Tube
- Rise Time:
- 50 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Высоковольтные МОП-транзисторы R60xx PrestoMOS™ от ROHM Semiconductor Высоковольтные МОП-транзисторы R60xx PrestoMOS™ оснащены диодами быстрого восстановления для оптимизации площади платы и обеспечивают напряжение 600 В в пяти типаx корпусов. Эти металл-оксидные полупроводниковые полевые транзисторы третьего поколения идеально подxодят для источников питания со встроенными инверторами. Эти устройства ROHM сочетают в себе высокую скорость переключения со встроенным диодом и высокое время обратного восстановления (trr), что обеспечивает оптимальную эффективность и меньшие потери при одновременном использовании компактныx конструкций.
Технические параметры
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Fall Time: | 60 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 50 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Package/Case: | TO-3PF-3 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Part # Aliases: | R6520ENZ |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 61 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 300 |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 68 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 30 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 155 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 20 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 205 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 20 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |