R6515ENXC7G, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062566658
- Артикул
- R6515ENXC7G
- Бренд
- Rohm
- Brand:
- ROHM Semiconductor
- Fall Time:
- 45 ns
- Packaging:
- Tube
- Rise Time:
- 55 ns
Цена по запросу
(от 451,34 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-Канальные силовые МОП-транзисторы R60/R65 ROHM Semiconductor R60/R65 обеспечивают одноканальный выxод с напряжением сток-исток 600 В или 650 В в корпусе TO-220FM-3. МОП-транзисторы R60/R65 имеют рабочую температуру от -55°C до +150°C и параметры рассеиваемой мощности 40 Вт, 46 Вт, 48 Вт, 53 Вт, 68 Вт, 74 Вт или 86 Вт. Силовые МОП-транзисторы R60/R65 N-Ch идеально подxодят для коммутации.
Технические параметры
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Fall Time: | 45 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 55 ns |
| Вес, г | 2 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Package/Case: | TO-220FM-3 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Part # Aliases: | R6515ENX |
| Transistor Type: | Power MOSFET |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 40 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Pd - Power Dissipation: | 60 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V, -30 V, +30 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 30 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 105 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 15 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 315 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |