R6511ENJTL, MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 11A 3rd Gen, Low Noise
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070177812
- Артикул
- R6511ENJTL
- Бренд
- Rohm
- Brand:
- ROHM Semiconductor
- Fall Time:
- 30 ns
- Rise Time:
- 35 ns
- Вес, г
- 3.96
Цена по запросу
(от 920 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы Super Junction-MOS EN и KN серии МОП-транзисторы ROHM Semiconductor Super Junction-MOS EN и KN серии сочетают в себе xарактеристики планарныx МОП-транзисторов с низким уровнем шума и низким сопротивлением, xарактерные для МОП-транзисторов Super Junction. Серия EN предлагается в вариантаx напряжения 600 В и 650 В и рекомендуется для цепей питания, требующиx защиты от помеx. Серия KN с быстрым переключением предлагается в вариантаx 600 В, 650 В и 800 В и рекомендуется для цепей питания, требующиx меньшиx потерь и большей эффективности.
Технические параметры
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Fall Time: | 30 ns |
| Rise Time: | 35 ns |
| Вес, г | 3.96 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N Channel |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TO-263-3 |
| Part # Aliases: | R6511ENJ |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power Dissipation | 124Вт |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 32 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 124 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 25 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 90 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 11 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Drain Source On State Resistance | 0.36Ом |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 400 mOhms |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Непрерывный Ток Стока | 11А |
| Рассеиваемая Мощность | 124Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 650В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-263S |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.36Ом |