Моя заявка (0)

R6509END3TL1, Power MOSFET, N Channel, 650 V, 9 A, 0.53 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount

R6509END3TL1, Power MOSFET, N Channel, 650 V, 9 A, 0.53 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8008998318
Артикул
R6509END3TL1
Бренд
Rohm
Pin Count
3
Вес, г
0.01
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N Channel
Цена по запросу
(от 540 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Серия ROHM R6xxxENx - это малошумящие МОП-транзисторы super Junction, в которыx особое внимание уделяется простоте использования.

Технические параметры

Pin Count3
Вес, г0.01
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN Channel
Package TypeDPAK(TO-252)
КорпусTO-252
Mounting TypeSurface Mount
Power Dissipation94Вт
СтруктураN-Channel
Особенностивысоковольтный
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage650 V
Maximum Gate Threshold Voltage4V
Maximum Drain Source Resistance0.585 Ω
Drain Source On State Resistance0.53Ом
Maximum Continuous Drain Current9 A
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока9А
Пороговое Напряжение Vgs4В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds650В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-252(DPAK)
Пороговое напряжение на затворе-
Максимальная Рабочая Температура150°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В650
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А9
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.53 Ом

Техническая документация