R6504END3TL1, Power MOSFET, N Channel, 650 V, 4 A, 0.955 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8008998314
- Артикул
- R6504END3TL1
- Бренд
- Rohm
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 0.01
- Channel Mode
- Enhancement
- Channel Type
- N
Цена по запросу
(от 370 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Серия ROHM R6xxxENx - это малошумящие МОП-транзисторы super Junction, в которыx особое внимание уделяется простоте использования.
Технические параметры
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.01 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Корпус | TO-252 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Особенности | высоковольтный |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Drain Source Resistance | 1.05 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 4 A |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.955 Ом |