Моя заявка (0)

R6504END3TL1, MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 4A 3rd Gen, Low Noise

R6504END3TL1, MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 650V 4A 3rd Gen, Low Noise

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8008938854
Артикул
R6504END3TL1
Бренд
Rohm
Pin Count
3
Вес, г
1
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Цена по запросу
(от 184,95 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Серия ROHM R6xxxENx - это малошумящие МОП-транзисторы super Junction, в которыx особое внимание уделяется простоте использования.

Технические параметры

Pin Count3
Вес, г1
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeDPAK(TO-252)
Mounting TypeSurface Mount
СтруктураN-Channel
Особенностивысоковольтный
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage650 V
Maximum Gate Threshold Voltage4V
Maximum Drain Source Resistance1.05 Ω
Maximum Continuous Drain Current4 A
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В650
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А4
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация