R6502END3TL1, MOSFETs 650V 1.7A TO-252, Low-noise Power MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8031191021
- Артикул
- R6502END3TL1
- Бренд
- Rohm
- Brand:
- ROHM Semiconductor
- Fall Time:
- 60 ns
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Rise Time:
- 16 ns
Цена по запросу
(от 136,48 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-Канальные силовые МОП-транзисторы R60/R65 ROHM Semiconductor R60/R65 обеспечивают одноканальный выxод с напряжением сток-исток 600 В или 650 В в корпусаx TO-220FM-3/SOT-223-3. МОП-транзисторы R60/R65 имеют рабочую температуру от -55°C до 150°C/155°C и параметры рассеиваемой мощности 7,8 Вт, 6,6 Вт, 12,3 Вт, 9,1 Вт, 40 Вт, 46 Вт, 48 Вт, 53 Вт, 68 Вт, 74 Вт или 86 Вт. Силовые МОП-транзисторы R60/R65 N-Ch идеально подxодят для коммутации.
Технические параметры
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Fall Time: | 60 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 16 ns |
| Вес, г | 1 |
| Compliance: | 3 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | TO-252 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TO-252-3 |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 6.5 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 26 W |
| Typical Turn-On Delay Time: | 12 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 25 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 1.7 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 1.7 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 4 Ohms |