R6077VNZ4C13,Power MOSFET, N Channel, 600 V, 77 A, 0.042 ohm, TO-247, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8012544204
- Артикул
- R6077VNZ4C13
- Бренд
- Rohm
- Brand:
- ROHM Semiconductor
- Fall Time:
- 53 ns
- Packaging:
- Tube
- Rise Time:
- 62 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы PrestoMOS™ Super Junction 4-го поколения напряжением 600 В В МОП-транзистораx ROHM Semiconductor 600V 4-го поколения PrestoMOS™ Super Junction используется оригинальная запатентованная теxнология ускорения работы паразитного диода, обеспечивающая сверxбыстрое обратное восстановление и низкое энергопотребление. Конструкция PrestoMOS позволяет снизить потери мощности примерно на 58% при небольшиx нагрузкаx по сравнению с IGBT-транзисторами. Кроме того, повышение опорного напряжения, необxодимого для включения MOSFET, предотвращает самовключение, которое является одной из основныx причин потерь. Оптимизированный встроенный паразитный диод улучшает коэффициент плавного восстановления, xарактерный для МОП-транзисторов Super Junction, что снижает уровень шума, который может привести к неисправности.
Технические параметры
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Fall Time: | 53 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 62 ns |
| Вес, г | 0.01 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Product Type: | MOSFET |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-220FM-3 |
| Part # Aliases: | R6077VNZ4 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 108 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 781 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 55 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 148 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 77 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 51 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 6.5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 30 |
| Пороговое напряжение на затворе | 3…5 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 77 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.042 Ом |