R6061YNZ4C13, MOSFETs TO247 650V 183A N-CH MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8022600522
- Артикул
- R6061YNZ4C13
- Бренд
- Rohm
- Brand:
- ROHM Semiconductor
- Fall Time:
- 23 ns
- Packaging:
- Tube
- Rise Time:
- 41 ns
Цена по запросу
(от 1 350 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-Канальные силовые МОП-транзисторы R60/R65 ROHM Semiconductor R60/R65 обеспечивают одноканальный выxод с напряжением сток-исток 600 В или 650 В в корпусе TO-220FM-3. МОП-транзисторы R60/R65 имеют рабочую температуру от -55°C до +150°C и параметры рассеиваемой мощности 40 Вт, 46 Вт, 48 Вт, 53 Вт, 68 Вт, 74 Вт или 86 Вт. Силовые МОП-транзисторы R60/R65 N-Ch идеально подxодят для коммутации.
Технические параметры
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Fall Time: | 23 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 41 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | to247 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Package/Case: | TO-247-3 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 76 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 600 |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 568 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 48 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 107 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 183 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 60 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 6 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 183 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |