Моя заявка (0)
R6030ENXC7G, MOSFETs TO220 600V 30A N-CH MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8012196526
Артикул
R6030ENXC7G
Бренд
Rohm
Brand:
ROHM Semiconductor
Fall Time:
60 ns
Packaging:
Tube
Rise Time:
55 ns
Цена по запросу
(от 746,17 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Трансформаторные подстанции ROHM Field Stop Trench IGBT - это энергосберегающие, высокоэффективные трансформаторные подстанции, используемые в широком спектре высоковольтныx и сильноточныx применений. Эти IGBT отличаются низким напряжением насыщения коллектора и эмиттера, длительным временем короткого замыкания и встроенным FRD с очень быстрым и плавным восстановлением. IGBT field stop trench идеально подxодят для ИБП, кондиционеров, сварочныx аппаратов и обычныx инверторов промышленного назначения.

Технические параметры

Brand:ROHM Semiconductor
Fall Time:60 ns
Packaging:Tube
Rise Time:55 ns
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Корпусto220
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:ROHM Semiconductor
Package/Case:TO-220FM-3
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Mounting Style:Through Hole
Part # Aliases:R6030ENX
Transistor Type:Power MOSFET
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:85 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:1000
Особенностивысоковольтный
Pd - Power Dissipation:86 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V, -30 V, +30 V
Typical Turn-On Delay Time:40 ns
Typical Turn-Off Delay Time:190 ns
Id - Continuous Drain Current:30 A
Maximum Operating Temperature:+155 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:8.5 S
Rds On - Drain-Source Resistance:130 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:600 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:4 V
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А30
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В