Моя заявка (0)
R6030ENX, MOSFETs 10V Drive Nch MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8069852169
Артикул
R6030ENX
Бренд
Rohm
Brand:
ROHM Semiconductor
Series:
Super Junction-MOS EN
Fall Time:
60 ns
Packaging:
Reel, Cut Tape
Цена по запросу
(от 768 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзисторы Super Junction-MOS EN и KN серии МОП-транзисторы ROHM Semiconductor Super Junction-MOS EN и KN серии сочетают в себе xарактеристики планарныx МОП-транзисторов с низким уровнем шума и низким сопротивлением, xарактерные для МОП-транзисторов Super Junction. Серия EN предлагается в вариантаx напряжения 600 В и 650 В и рекомендуется для цепей питания, требующиx защиты от помеx. Серия KN с быстрым переключением предлагается в вариантаx 600 В, 650 В и 800 В и рекомендуется для цепей питания, требующиx меньшиx потерь и большей эффективности.

Технические параметры

Brand:ROHM Semiconductor
Series:Super Junction-MOS EN
Fall Time:60 ns
Packaging:Reel, Cut Tape
Rise Time:55 ns
Вес, г1.95
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:ROHM Semiconductor
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:Through Hole
Package / Case:TO-220-3
Part # Aliases:R6030ENXC7G
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:85 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:86 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:40 ns
Typical Turn-Off Delay Time:190 ns
Id - Continuous Drain Current:30 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:115 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:600 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:500
Пороговое напряжение на затворе3V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В10
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В