Моя заявка (0)

R6027YNXC7G,Power MOSFET, N Channel, 600 V, 14 A, 0.112 ohm, TO-220FM, Through Hole

R6027YNXC7G,Power MOSFET, N Channel, 600 V, 14 A, 0.112 ohm, TO-220FM, Through Hole

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8046436263
Артикул
R6027YNXC7G
Бренд
Rohm
Brand:
ROHM Semiconductor
Fall Time:
18 ns
Packaging:
Tube
Rise Time:
22 ns
Цена по запросу
(от 873 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-Канальные силовые МОП-транзисторы R60/R65 ROHM Semiconductor R60/R65 обеспечивают одноканальный выxод с напряжением сток-исток 600 В или 650 В в корпусе TO-220FM-3. МОП-транзисторы R60/R65 имеют рабочую температуру от -55°C до +150°C и параметры рассеиваемой мощности 40 Вт, 46 Вт, 48 Вт, 53 Вт, 68 Вт, 74 Вт или 86 Вт. Силовые МОП-транзисторы R60/R65 N-Ch идеально подxодят для коммутации.

Технические параметры

Brand:ROHM Semiconductor
Fall Time:18 ns
Packaging:Tube
Rise Time:22 ns
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:Transistors
КорпусTO-220
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:ROHM Semiconductor
Package/Case:TO-220AB-3
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Mounting Style:Through Hole
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:40 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:1000
Особенностивысоковольтный
Pd - Power Dissipation:70 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-30 V, +30 V
Typical Turn-On Delay Time:28 ns
Typical Turn-Off Delay Time:66 ns
Id - Continuous Drain Current:81 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:135 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:600 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:6 V
Пороговое напряжение на затворе4V@1mA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А14
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.112 Ом